2021成都信息工程大学微电子技术基础研究生复试大纲

发布时间：2021-01-23 编辑：考研派小莉 推荐访问：
2021成都信息工程大学微电子技术基础研究生复试大纲

2021成都信息工程大学微电子技术基础研究生复试大纲内容如下，更多考研资讯请关注我们网站的更新！敬请收藏本站，或下载我们的考研派APP和考研派微信公众号（里面有非常多的免费考研资源可以领取，有各种考研问题，也可直接加我们网站上的研究生学姐微信，全程免费答疑，助各位考研一臂之力，争取早日考上理想中的研究生院校。）

+成都信息工程大学 研究生
微信,为你答疑,送资源

2021成都信息工程大学组织行为学研究生复试大纲 2021成都信息工程大学运筹学研究生复试大纲 2021成都信息工程大学遥感原理与方法研究生复试大纲 2021成都信息工程大学地理信息系统原理研究生复试大纲 2021成都信息工程大学写作研究生复试大纲 2021成都信息工程大学微观经济学研究生复试大纲 95%的同学还阅读了： 成都信息工程大学研究生招生目录成都信息工程大学研究生分数线成都信息工程大学王牌专业排名成都信息工程大学考研难吗成都信息工程大学考研调剂信息成都信息工程大学研究生导师名单成都信息工程大学研究生学费成都信息工程大学研究生奖学金

2021成都信息工程大学微电子技术基础研究生复试大纲 正文

附件5：
 2021 年硕士研究生入学考试自命题科目
考试大纲
考试阶段：复试 科目满分值：100
考试科目：微电子技术基础 科目代码：
考试方式：闭卷笔试 考试时长：180分钟
一、科目的总体要求
《微电子技术基础》主要由半导体器件物理和集成电路工艺两部分内容构成，本科目主要考察学生对《微电子技术基础》基本概念、基本方法、基本理论的掌握，要求能解释、分析并解决相关问题。
二、考核内容与考核要求
1、半导体能带基础及导电性
（1）能带的形成（了解）；
（2）半导体中的载流子（掌握）；
（3）三维无限晶体的能带（理解）；
（4）平衡载流子浓度（掌握）；
（5）载流子的漂移、迁移率（理解）。
2、PN结
（1）平衡PN结能带及参数（掌握）
（2）正偏、反偏PN结（理解）
3、双极型晶体管
（1）晶体管工作原理（理解）；
（2）双极型晶体管静态特性（理解）；
4、MOSFET器件
（1）理想MOS结构（理解）
（2）MOSFET基?。ɡ斫猓?/div>
5、硅片工艺
（1）多晶硅制备（了解）；
（2）单晶硅生长原理及直拉法，晶体掺杂：（掌握）；
（3）切片工艺（理解）。
6、薄膜淀积
（1）化学气相淀积原理（理解）；
（2）化学气相淀积工艺方法：常压，低压和等离子体增强化学气相淀积（理解）；
（3）真空蒸镀工艺原理及蒸镀工艺（掌握）；
（4）溅射工艺原理及直流，射频和磁控溅射工艺（掌握）。
7、光刻与刻蚀
（1）基本光刻工艺流程（掌握）；
（2）光刻胶与曝光技术（理解）；
（3）湿法刻蚀与干法刻蚀（理解）；
（4）刻蚀技术进展（了解）；
8、杂质掺杂
（1）硅的热氧化工艺与机理（掌握）；
（2）硅的Deal-Grove热氧化模型（了解）；
（3）热氧化生长速率与影响因素（理解）；
（4）扩散机制与扩散工艺条件及方法（理解）；
（5）离子注入原理与工艺流程（掌握）；
三、题型结构
考试包含多种题型：名词解释、简答题、计算题。
四、其它要求
可携带计算器。
 
成都信息工程大学

添加成都信息工程大学学姐微信，或微信搜索公众号“考研派小站”，关注[考研派小站]微信公众号，在考研派小站微信号输入[成都信息工程大学考研分数线、成都信息工程大学报录比、成都信息工程大学考研群、成都信息工程大学学姐微信、成都信息工程大学考研真题、成都信息工程大学专业目录、成都信息工程大学排名、成都信息工程大学保研、成都信息工程大学公众号、成都信息工程大学研究生招生）]即可在手机上查看相对应成都信息工程大学考研信息或资源。

成都信息工程大学考研公众号 考研派小站公众号

本文来源：http://www.abikesmart.com.cn/chengduxinxigongchengdaxue/cankaoshumu_419480.html

推荐阅读